[发明专利]在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法

摘要

一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，包括步骤：制备卤化物钙钛矿薄膜；在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜；在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜；利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜；刻蚀派瑞林薄膜，将掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；将金属薄膜沉积到卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到金属微纳结构。本发明能够避免卤化物钙钛矿与水的接触，在卤化物钙钛矿表面利用半导体工艺制作金属微纳结构，应用于卤化物钙钛矿光电器件芯片的制备中，可以提高卤化物钙钛矿光电器件芯片的性能。

主权项

1.一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备卤化物钙钛矿薄膜；步骤2：在所述卤化物钙钛矿薄膜表面形成一派瑞林薄膜；步骤3：在所述派瑞林薄膜表面形成一光刻胶薄膜；步骤4：利用光刻工艺将所述光刻胶薄膜制作成具有微纳结构图形的掩膜；步骤5：刻蚀所述派瑞林薄膜至卤化物钙钛矿薄膜表面停止，将所述掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；步骤6：将一金属薄膜沉积到所述卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；步骤7：将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到形成于所述卤化物钙钛矿薄膜表面的金属微纳结构。