[发明专利]多阈值电压器件以及相关联的技术和结构有效
| 申请号： | 201811104694.8 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109378342B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | J·M·施泰格瓦尔德;T·加尼;J·胡;I·R·C·波斯特 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 器件 以及 相关 技术 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：第一N型鳍状FET器件，包括具有第一电极材料层的第一栅电极，所述第一电极材料层具有成分，并且所述第一电极材料层具有第一厚度；第二N型鳍状FET器件，包括具有第二电极材料层的第二栅电极，所述第二电极材料层具有所述成分，并且所述第二电极材料层具有大于所述第一厚度的第二厚度；以及第一P型鳍状FET器件，包括具有第三电极材料层的第三栅电极，所述第三电极材料层具有所述成分，并且所述第三电极材料层具有与所述第一厚度相同的第三厚度。
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