[发明专利]一种双层永磁复合磁路记忆电机

摘要

本发明公开了一种双层永磁复合磁路记忆电机，包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴，混合永磁转子包括转子铁心，转子铁心的周向均布有若干双层永磁区，双层永磁区包括U型混合永磁结构和V型永磁结构，U型混合永磁结构包括第二高矫顽力和低矫顽力永磁体；V型永磁结构包括第一高矫顽力永磁体，其设置于U型混合永磁结构的开口内，U型混合永磁结构和V型永磁结构的开口朝向定子，低矫顽力永磁体与第二高矫顽力永磁体呈并联磁路，与第一高矫顽力永磁体呈串联磁路。本发明结合了并联磁路型与串联磁路型记忆电机两方面的优势，可实现电机转矩密度的提高，避免了低矫顽力永磁负载退磁的问题，并进一步拓宽电机的调速范围和高效率运行区间。

主权项

1.一种双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴，所述电枢绕组设置在定子上，所述定子设置在混合永磁转子外部，所述混合永磁转子包括转子铁心，所述转子铁心设置于所述转轴外部，所述转子铁心的周向均布有若干双层永磁区，所述双层永磁区包括U型混合永磁结构和V型永磁结构，所述U型混合永磁结构中由第二高矫顽力永磁体构成U型的两侧，由低矫顽力永磁体构成U型的底部，所述第二高矫顽力永磁体与低矫顽力永磁体构成并联型磁路，所述U型混合永磁结构的开口朝向所述定子，所述V型永磁结构设置于所述U型混合永磁结构的开口内，所述V型永磁结构由第一高矫顽力永磁体构成所述V型的两侧，所述第一高矫顽力永磁体与低矫顽力永磁体构成串联型磁路，所述V型永磁结构的开口朝向所述定子。