[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201811107330.5 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943031B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件的制备方法，包括如下步骤：提供基底、第一介电层和第二介电层的堆叠结构，所述堆叠结构具有沟槽；可流动电介质填充满所述沟槽；及对所述可流动电介质的进行高温离子注入处理，所述高温离子的温度为400～500℃。本发明在可流动电介质固化之前利用高温氦气离子注入，能够切断电介质的氢硅键与氢氮硅键，可以减轻后续旋涂电介质在沟槽底部未固化的状况。同时可以中和可流动电介质固化的应力，避免有源区域倒塌的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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