[发明专利]一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201811107608.9 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109560127A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 庄秉翰;蔡文必;孙希国;王江;魏鸿基;梁玉玉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，包括如下步骤：1)外延片制备:以磷化铟作为生长衬底，在磷化铟的表面生长缓冲层A、剥离层、发射极层、基极层、集极层；2)准备一硬度高于磷化铟的永久性衬底；将备制好永久性衬底和外延片相互贴合形成试片；3)在永久性衬底的表面通过蚀刻穿孔工艺蚀刻永久性衬底、金属面、集极层、基极层、发射极层；4)通过开孔对剥离层进行湿法腐蚀，使得磷化铟生长衬底与试片分离；5)在永久性衬底上完成DHBT芯片结构的制作。上述的制作方法，运用穿孔工艺搭配湿法腐蚀将磷化铟衬底快速地与永久性衬底分离开来,解决当前在大面积晶圆尺寸上分离的困难与瓶颈。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 磷化铟 蚀刻 发射极层 湿法腐蚀 双极结构 双异质结 剥离层 基极层 外延片 制作 晶体管 穿孔 集极 试片 表面生长 衬底分离 工艺搭配 芯片结构 缓冲层 金属面 生长 晶圆 开孔 贴合 制备 瓶颈 | ||
【主权项】：
1.一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于包括如下步骤：1)外延片制备:以磷化铟作为生长衬底，在磷化铟的表面生长缓冲层A、剥离层、发射极层、基极层、集极层；2)准备一硬度高于磷化铟的永久性衬底；将备制好永久性衬底和外延片相互贴合形成试片；3)在永久性衬底的表面通过蚀刻穿孔工艺蚀刻永久性衬底、集极层、基极层、发射极层；4)通过开孔对剥离层进行湿法腐蚀，使得磷化铟生长衬底与试片分离；5)在永久性衬底上完成DHBT芯片结构的制作。
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