[发明专利]加热处理装置和加热处理方法在审
申请号: | 201811107656.8 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109545709A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 岩坂英昭;水永耕市;林田贵大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际,防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供气(A)从处于与载置台(210)的热板(211)上的晶圆(W)相同的高度的、闸门构件(250)下端部的空隙(d1)成为水平层流而朝向晶圆(W)供给,供气(B)从处于比晶圆(W)高的位置的闸门构件(250)的上端部的空隙(d2)向热处理空间(S)内供给。供气(A)的流量与供气(B)的流量的流量比是4:1。 | ||
搜索关键词: | 热处理空间 供气 闸门构件 晶圆 加热处理装置 加热处理 闸门 排气量减少 水平层流 侧面部 流量比 上端部 升华物 下端部 载置台 基板 热板 排气 加热 停滞 | ||
【主权项】:
1.一种加热处理装置,其是对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理装置,其特征在于,该加热处理装置具有:载置台,其载置所述基板;加热机构,其对载置到所述载置台的基板进行加热;上面部,其位于所述载置台的上方,并覆盖所述载置台;以及侧面部,其包围所述载置台,该侧面部位于所述载置台的外周,由所述载置台、所述上面部、所述侧面部形成热处理空间,在所述上面部的中央设置有对所述热处理空间内的气氛进行排气的排气部,该加热处理装置具有第1气体供给口和第2气体供给口,该第1气体供给口和该第2气体供给口沿着所述侧面部的周向设置,并向所述热处理空间供给气体,所述第1气体供给口的高度位置与载置到所述载置台的基板的高度位置相同,所述第2气体供给口的高度位置是比所述第1气体供给口的高度位置高的位置,从所述第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量比从所述第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量多。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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