[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体有效
| 申请号： | 201811107929.9 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109585332B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赖诚忠;陈舜钦;陈世芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开一种干式清洁沉积反应腔室的方法、干式清洁系统以及非暂态电脑可读取媒体。在一些实施例中，清洁沉积反应腔室的方法包括：进行等离子体辅助清洁工艺，以清洁在沉积反应腔室的内表面所形成的管道沉积物，其中等离子体辅助清洁工艺包括：将第一反应气体提供到远端等离子体源以产生等离子体，其中等离子体包括含氟自由基；将等离子体从远端等离子体源提供到沉积反应腔室，以清洁管道沉积物；以及在进行等离子体辅助清洁工艺后，通过将第二反应气体提供到沉积反应腔室，以进行化学清洁工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 方法 系统 非暂态 电脑 读取 媒体 | ||
【主权项】：
1.一种清洁沉积反应腔室的方法，包括：进行一等离子体辅助清洁工艺，以清洁在该沉积反应腔室的一内表面所形成的多个管道沉积物，其中该等离子体辅助清洁工艺包括：将一第一反应气体提供到一远端等离子体源以产生一等离子体，其中该等离子体包括一含氟自由基；和将该等离子体从该远端等离子体源提供到该沉积反应腔室，以清洁所述管道沉积物；以及在进行该等离子体辅助清洁工艺后，通过将一第二反应气体提供到该沉积反应腔室，以进行一化学清洁工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
