[发明专利]一种基于分数阶忆阻器的混沌电路在审
申请号: | 201811108718.7 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109347616A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 杨宁宁;吴朝俊;徐诚;贾嵘 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H04L9/00 | 分类号: | H04L9/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 涂秀清 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容分数阶电容电阻R,所述分数阶电容的两端并联有分数阶电感Lλ,所述分数阶电容的两端并联有负阻G,所述负阻G的两端还并联有分数阶忆阻器Mλ;通过运用该电路可以更加准确的模拟真实的广义忆阻器,对分析分数阶混沌系统,特别是分数阶忆阻混沌系统有重要作用;该混沌系统可以进行数值仿真和电路仿真,根据调节参数可产生双涡卷吸引子和单涡卷吸引子,使其成为一种简单的蔡氏混沌电路,本发明的分数阶忆阻混沌电路的动力学行为具有整数阶不具有的新的现象,具有丰富的研究价值。 | ||
搜索关键词: | 分数阶 混沌电路 忆阻器 混沌系统 电容 并联 吸引子 负阻 电感 动力学行为 闭合回路 电路仿真 电容电阻 数值仿真 依次连接 单涡卷 双涡卷 整数阶 电路 分析 研究 | ||
【主权项】:
1.一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容分数阶电容电阻R,所述分数阶电容的两端并联有分数阶电感Lλ,所述分数阶电容的两端并联有负阻G,所述负阻G的两端还并联有分数阶忆阻器Mλ。
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