[发明专利]7XXX-SiC铝基复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811108940.7 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109022873B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 伍小波;高平平;陈青华 | 申请（专利权）人： | 湘潭金波新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C1/10;C22C21/00;C23C18/38;C23C18/18;C22F1/04 |
| 代理公司： | 北京旭路知识产权代理有限公司 11567 | 代理人： | 王莹;董媛 |
| 地址： | 411100 湖南省湘潭市岳塘区宝塔*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种7XXX‑SiC铝基复合材料及其制备方法，涉及材料领域领域。所述铝基复合材料包括：7XXX铝合金97～98％、碳化硅1～3％，稀土元素0.1－1％；该方法主要由以下流程组成:铝锭合金的粉碎,机械球磨,表面渡铜碳化硅的加入,压制成型,半熔融烧结,挤压成型并冷却，后续热处理工序而成。觖决了碳化硅颗粒/晶须均匀分散铝基合金体内的工艺难题，本发明的碳化硅在铝基体内均匀分散,而且对铝基材料的抗拉强度与硬度有显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | xxx sic 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种7XXX‑SiC铝基复合材料，其特征在于，所述铝基复合材料中按照质量百分比包括：7XXX铝合金97～99％、碳化硅1～3％，稀土元素0.1－1％，所有组分之和满足百分之百；所述碳化硅为纳米级或者微米级碳化硅。
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