[发明专利]半导体晶圆处理设备及其顶针装置在审
申请号: | 201811110018.1 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN110943027A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 杨正杰;吕翼君 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;G01V3/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体晶圆处理设备及其顶针装置,涉及半导体制造技术领域。半导体反应腔晶圆顶针装置,包括:顶针通道;顶针,位于所述顶针通道内,所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域,其中,所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反;导电件,位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。通过本发明的实施例,只需要在第一环形区域和第二环形区域中导电的一个区域与导电件之间施加电压差,并检测该区域与导电件之间是否电导通即可判断出顶针的顶端是否完全缩入到顶针通道内,由此判断出顶针是否下降到位。 | ||
搜索关键词: | 半导体 处理 设备 及其 顶针 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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