[发明专利]一种磷酸基蚀刻液及其配制方法在审
申请号: | 201811110045.9 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109135752A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李少平;冯凯;贺兆波;张庭;尹印;王书萍;姜飞;张永萍 | 申请(专利权)人: | 湖北兴福电子材料有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443007 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种高蚀刻选择比磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种高选择比磷酸基蚀刻液,其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑90%的磷酸、0.005‑1%的含硅化合物、0.005‑1%的含氟化合物、0.005‑1%的氟稳定剂、0.005‑5%的表面活性剂、余量为水。本发明通过使用新型的添加剂与稳定剂的成分及类型。明显降低了蚀刻液对SiO2层的蚀刻并提高了对Si3N4层的蚀刻速率。显著提高了Si3N4/SiO2的蚀刻选择比。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻液 磷酸基 蚀刻 蚀刻选择比 稳定剂 配制 表面活性剂 含氟化合物 含硅化合物 高选择比 磷酸 添加剂 | ||
【主权项】:
1.一种磷酸基蚀刻液,其特征在于,蚀刻液为电子级产品,该磷酸基蚀刻液主要成分包括占蚀刻液总重量50‑90%的磷酸、0.005‑1%的含硅化合物、0.005‑1%的含氟化合物、0.005‑1%的氟稳定剂、0.005‑5%的表面活性剂、余量为水。
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