[发明专利]一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法在审

专利信息
申请号: 201811111578.9 申请日: 2018-09-24
公开(公告)号: CN109509760A 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 陈立;樊子宇 申请(专利权)人: 深圳市乐夷微电子有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/18
代理公司: 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙) 11462 代理人: 孙东风
地址: 518101 广东省深圳市宝安区西乡街道宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法,所述光敏传感芯片结构包括芯片本体,所述芯片本体上设置第一光敏二极管和第二光敏二极管;还包括第一PMOS管和第二PMOS管;其中,所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件;所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极,所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接;所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接;所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端,该电流放大器的输出端即为信号输出端;所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。
搜索关键词: 光敏二极管 正极 传感芯片 光敏 电流放大器 负极 微型表面 芯片本体 漏极 贴装 源极 信号输出端 光照区域 接地 输出端 输入端 遮光件 加工 覆盖
【主权项】:
1.一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构,包括芯片本体,其特征在于,所述芯片本体上设置有面积相同、PN结体结构相同的第一光敏二极管和第二光敏二极管;还包括第一PMOS管和第二PMOS管;其中,所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件;所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极,所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接;所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接;所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端,该电流放大器的输出端即为信号输出端;所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。
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