[发明专利]硅基AlGaN -HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪有效
| 申请号： | 201811112677.9 | 申请日： | 2018-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN109375086B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 程德明;胡一波;胡文新 | 申请（专利权）人： | 程德明;黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅基AlGaN‑HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪的技术方案，能对额定电流1～100A MOS管的热阻和高温压降进行测试。能在3秒时间内，一次性测出每个MOS管的这二个热参数，测量误差≤3％。是硅基AlGaN‑HEMT/MOS功率器件研发单位、制造商、拆机商、用户测试MOS管热特性的优选技术平台。测试仪线路简捷、体积小、耗能少、造价低，有利于大批量推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 algan hemt mos 功率 器件 热阻压降 测试仪 | ||
【主权项】：
1.一种硅基AIGaN‑HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪，其特征在于：由直流电源、脉冲发生电路、输出控制电路、电流调节电路、热阻压降取样电路、热阻压降显示电路、加热时间显示电路、加热电流显示电路等8部分组成；能在3秒时间内，一次性测出每个MOS管的这二个热参数，测量误差≤3％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于程德明;黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司，未经程德明;黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811112677.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
