[发明专利]形成导电接触结构至半导体装置的方法及所产生的结构

摘要

本发明涉及形成导电接触结构至半导体装置的方法及所产生的结构，揭示于本文的一种例示方法可包括：形成接触蚀刻结构于位在第一及第二下导电结构之上的一层绝缘材料中，其中该接触蚀刻结构的至少一部分横向位在该第一及该第二下导电结构之间，形成邻近该接触蚀刻结构的第一侧的第一导电线路及第一导电接触以及形成邻近该接触蚀刻结构的第二侧的第二导电线路及第二导电接触，其中该第一及该第二导电线路之间的间隔大约等于该接触蚀刻结构的一尺寸。

主权项

1.一种方法，包含：形成第一下导电结构及第二下导电结构；在该第一下导电结构及该第二下导电结构之上形成包含第一材料的一层绝缘材料；在该层绝缘材料中形成接触蚀刻结构，其中，该接触蚀刻结构包含与该第一材料不同的第二材料，且其中，该接触蚀刻结构的至少一部分横向位在该第一下导电结构的至少一部分与该第二下导电结构的至少一部分之间；形成邻近该接触蚀刻结构的第一侧的第一导电线路及第一导电接触，其中，该第一导电接触导电地耦合至该第一下导电结构；以及形成邻近该接触蚀刻结构的第二侧的第二导电线路及第二导电接触，该接触蚀刻结构的该第二侧与该接触蚀刻结构的该第一侧相反，其中，该第二导电接触导电地耦合至该第二下导电结构，且其中，该第一导电线路与该第二导电线路之间的间隔大约等于该接触蚀刻结构的尺寸。