[发明专利]表膜在审
申请号: | 201811114381.0 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109581807A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 丸山公幸;藤川尊;中原辰典 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F1/62;G03F7/20 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供在介由表膜利用曝光光形成抗蚀图案的情况下、能够形成对比度优异的抗蚀图案的表膜。一种表膜,其包括具备面积1000cm2以上的俯视矩形状的开口部的表膜用框体、被该表膜用框体的一端面以覆盖前述开口部的方式展开支承的表膜用膜、和前述表膜用框体的另一端面的掩模粘合剂,在1cm×1cm的区域内包括对于前述表膜用膜垂直入射波长365nm的光的情况与以10°的角度入射的情况的相位差为0.5rad以下的区域。 | ||
搜索关键词: | 表膜 框体 抗蚀图案 开口部 掩模粘合剂 垂直入射 矩形状 曝光光 相位差 波长 入射 支承 俯视 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种表膜,其包括具备面积1000cm2以上的俯视矩形状的开口部的表膜用框体、被该表膜用框体的一端面以覆盖所述开口部的方式展开支承的表膜用膜、和所述表膜用框体的另一端面的掩模粘合剂,在1cm×1cm的区域内包括对于所述表膜用膜垂直入射波长365nm的光的情况与以10°的角度入射的情况的相位差为0.5rad以下的区域。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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