[发明专利]集成电路中栅极氧化层的TDDB测试装置有效
| 申请号： | 201811115214.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109324277B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路中栅极氧化层的TDDB测试装置，包括电源、连接端子和控制设备。所述电源用于施加测试电场。所述连接端子用于连接所述电源和栅极氧化层。所述控制设备连接所述电源，所述控制设备被配置为：获得对所述栅极氧化层进行斜坡电压测试所确定的击穿场强；在所述测试电场下对所述栅极氧化层进行TDDB测试，获得击穿时间；根据所述斜坡电压测试的斜坡率、所述击穿场强、所述击穿时间以及所述测试电场场强确定电场加速因子；以及使用所述电场加速因子计算所述栅极氧化层的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 栅极 氧化 tddb 测试 装置 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路中栅极氧化层的TDDB测试装置，包括：电源，用于施加测试电场；连接端子，用于连接所述电源和所述栅极氧化层；控制设备，连接所述电源，所述控制设备被配置为：获得对所述栅极氧化层进行斜坡电压测试所确定的击穿场强；在所述测试电场下对所述栅极氧化层进行TDDB测试，获得击穿时间；根据所述斜坡电压测试的斜坡率、所述击穿场强、所述击穿时间以及所述测试电场场强确定电场加速因子；以及使用所述电场加速因子计算所述栅极氧化层的寿命。
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