[发明专利]多晶硅层的制备方法、晶化处理系统、晶体管及显示装置在审
| 申请号： | 201811116608.5 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109243972A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高宇鹏;关峰;王治 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅层的制备方法、晶化处理系统、晶体管及显示装置，涉及显示技术领域，简化了需要离子掺杂的多晶硅层的制备工序。该多晶硅层的制备方法，包括：在衬底基板上方形成非晶硅层；所述非晶硅层具有远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面包括：待掺杂区域；至少使所述待掺杂区域与离子注入化合物相接触；对所述待掺杂区域进行激光照射，以使所述离子注入化合物中的预设离子注入进所述待掺杂区域中，并使所述非晶硅层对应于所述待掺杂区域的部分转化为多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 多晶硅层 制备 非晶硅层 离子 衬底基板 晶化处理 显示装置 上表面 晶体管 化合物相 激光照射 离子掺杂 多晶硅 预设 转化 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上方形成非晶硅层；所述非晶硅层具有远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面包括：待掺杂区域；至少使所述待掺杂区域与离子注入化合物相接触；对所述待掺杂区域进行激光照射，以使所述离子注入化合物中的预设离子注入进所述待掺杂区域中，并使所述非晶硅层对应于所述待掺杂区域的部分转化为多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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