[发明专利]具有低熔融温度的聚合物主体的PPTC器件在审
| 申请号： | 201811119627.3 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109545484A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建华;曾俊昆 | 申请（专利权）人： | 力特有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C1/14;H01H85/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 美国伊利诺伊州芝加哥希*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 熔断器装置可包括聚合物正温度系数主体；第一电极，其布置在聚合物正温度系数主体的第一侧上；和第二电极，其布置在聚合物正温度系数主体的第二侧上。聚合物正温度系数主体可包含聚合物基质和导电填料，其中熔断器装置具有低于120℃的跳闸温度。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物正温度系数 熔断器装置 聚合物基质 聚合物主体 跳闸 导电填料 第二电极 第一电极 熔融 | ||
【主权项】：
1.一种熔断器装置，包括：聚合物正温度系数主体；第一电极，所述第一电极布置在聚合物正温度系数主体的第一侧上；和第二电极，所述第二电极布置在聚合物正温度系数主体的第二侧上；其中，所述聚合物正温度系数主体包含聚合物基质和导电填料，其中，所述聚合物基质包含具有低于150℃的熔融温度的聚合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力特有限公司，未经力特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811119627.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种导电性好的电阻材料
- 下一篇：一种新型避雷器芯体装配结构
