[发明专利]GOA电路结构有效
| 申请号： | 201811119940.7 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109119041B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈帅 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GOA电路结构，所述GOA电路结构包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下传单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一附加薄膜晶体管。通过设置所述附加薄膜晶体管，并且在所述附加薄膜晶体管的栅极电性连接一控制信号端，可降低干扰所述GOA电路结构的栅极信号输出端的输出波形的情形。 | ||
| 搜索关键词： | goa 电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种GOA电路结构，其特征在于：所述GOA电路结构包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下传单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一附加薄膜晶体管(T23)；其中所述上拉单元、所述下传单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元与第n级GOA电路的栅极信号输出端(G(n))电性连接，n为自然数；所述上拉控制单元、所述下传单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元与第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n))电性连接；所述附加薄膜晶体管(T23)的一栅极电性连接第n‑m级GOA电路的一控制信号端(P(n‑m))，m为自然数；所述附加薄膜晶体管(T23)的一漏极电性连接一工作电压(VSS)；所述附加薄膜晶体管(T23)的一源极电性连接第n‑m级GOA电路的一级传信号输出端(ST(n‑m))；所述上拉控制单元电性连接第n‑q级GOA电路的一栅极信号输出端(G(n‑q))，q为自然数。
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