[发明专利]一种介电薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811119956.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109265882B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 胡小玲 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/10;C08K3/22;C08J5/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 246620 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种介电薄膜材料的制备方法，包括制备钕掺杂钛酸钡纳米颗粒；对钕掺杂钛酸钡纳米颗粒进行改性；将改性后的钕掺杂钛酸钡纳米颗粒超声分散于聚合物基体内成型处理后制得介电薄膜材料。上述制得的介电薄膜材料兼具高介电常数、高击穿场强、低介电损耗和高储能效率的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电薄膜材料的制备方法，包括如下操作步骤：S1:制备钕掺杂钛酸钡纳米颗粒；S2:对钕掺杂钛酸钡纳米颗粒进行改性；S2:将改性后的钕掺杂钛酸钡纳米颗粒超声分三散于聚合物基体内成型处理后制得介电薄膜材料。
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