[发明专利]基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811120354.4 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109360874B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;张盛;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件及其制备方法，其包括衬底，缓冲层，位于所述衬底的上表面，N型层，覆盖于所述缓冲层的上，多量子阱层，覆盖于所述N型层上，电子阻挡层，覆盖于所述多量子阱层上，P型层，覆盖于所述电子阻挡层上，微阵列导电电极层，覆盖于所述P型层上，其中，所述微阵列导电电极层包括石墨烯及多环银纳米薄膜电极。本发明发光器件的导电电极层使用石墨烯与金属Ag薄膜相结合，并且其金属Ag薄膜采用图形化处理，利用表面等离极化激元效应，不仅使得发光效率有了较大的提升，而且降低了电阻值，降低了热量的产生，有较好的散热。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 多环银 纳米 薄膜 电极 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件，其包括，衬底；缓冲层，位于所述衬底的上表面；N型层，覆盖于所述缓冲层的上；多量子阱层，覆盖于所述N型层上；电子阻挡层，覆盖于所述多量子阱层上；P型层，覆盖于所述电子阻挡层上；微阵列导电电极层，覆盖于所述P型层上，其中，所述微阵列导电电极层包括石墨烯及多环银纳米薄膜电极。
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