[发明专利]一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法。所述的光电晶体管包括依次叠置的底电极、硅基衬底、氧化镓薄膜和上电极。其中硅基衬底为具有二氧化硅层的硅基衬底，氧化镓薄膜为室温生长的非晶氧化镓薄膜。本发明可采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强、容易操作，制作成本低。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电晶体管响应度高、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得，在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

主权项

1.一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，包括依次叠置的底电极、衬底、氧化镓薄膜和上电极，其特征在于：所述氧化镓薄膜为非晶薄膜，所述衬底为SiO2/Si衬底，该SiO2/Si衬底包括上部的SiO2层和下部的Si层。