[发明专利]带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811122546.9 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560069B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | C·J·莱萨德;D·G·霍尔梅斯;D·C·伯德奥克斯;H·鲁达;I·克哈莉 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/49;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法。晶体管包括具有内部有源器件、第一端和第二端的半导体基板。所述晶体管还包括在所述半导体基板上由介电材料和导电材料的层形成的互连结构。所述互连结构包括由所述导电材料形成并且延伸通过所述介电材料的导柱、分接互连件和安置在所述导柱和所述分接互连件之间的屏蔽结构。所述导柱接触所述第一端并且连接到第一流道。所述分接互连件接触所述第二端并且连接到第二流道。所述屏蔽结构包括基部段、从所述基部段的相对末端延伸的第一支腿和第二支腿，其中所述第一和第二支腿在反向平行于所述基部段的长度的方向上从所述基部段的相对末端延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 屏蔽 结构 晶体管 封装 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：具有第一端和第二端的半导体基板；和在所述半导体基板的上表面上的互连结构，所述互连结构由多层介电材料和导电材料形成，所述互连结构包括：由所述导电材料形成的导柱，所述导柱与所述第一端电接触，所述导柱延伸通过所述介电材料；由所述导电材料形成的分接互连件，所述分接互连件与所述第二端电接触，所述分接互连件延伸通过所述介电材料；和由所述导电材料形成的屏蔽结构，所述屏蔽结构安置在所述导柱和所述分接互连件之间并且被配置成阻断在所述分接互连件和所述导柱之间的电场，并且所述屏蔽结构包括基部段、从所述基部段的相对末端延伸的第一支腿和第二支腿，其中所述第一和第二支腿在反向平行于所述基部段的长度的方向上从所述基部段的相对末端延伸。
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