[发明专利]半导体元器件的制造方法及半导体元器件有效
| 申请号： | 201811123051.8 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957218B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣;金兴成;陈晓亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体元器件的制造方法及半导体元器件，在浅槽的底面掺杂第一P型杂质，填充浅槽形成浅槽隔离结构，通过在衬底上形成绝缘介质层之后，通过第一次光刻定义出P型界面掺杂区的掺杂窗口，通过掺杂窗口掺杂第二P型杂质，以在衬底内形成第二P型界面掺杂区，然后再在绝缘介质层上形成多晶硅层，刻蚀多晶硅层和绝缘介质层形成栅氧化层和多晶硅栅。形成的P型界面掺杂区仅与半导体元器件的沟道区域有重叠区域，与半导体元器件的N型源区和N型漏区都没有重叠区域，这样不仅可以有效防止半导体元器件的漏电，还保证了器件的开启电压，工作电流和耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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