[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811123346.5 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110459613B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 陈鲁夫;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置包含半导体衬底，具有第一导电类型，深阱设置于半导体衬底上，且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一阱和第二阱设置于深阱内且具有第一导电类型，其中第一阱和第二阱由深阱的一部分隔开，且第一阱电连接于第二阱，以及第一掺杂区和第二掺杂区设置于深阱内且具有第二导电类型，其中第一阱和第二阱位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一半导体衬底，具有一第一导电类型；/n一深阱，设置于该半导体衬底上，且具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；/n一第一阱和一第二阱，设置于该深阱内且具有该第一导电类型，其中该第一阱和该第二阱由该深阱的一部分隔开，且该第一阱电连接于该第二阱；以及/n一第一掺杂区和一第二掺杂区，设置于该深阱内且具有该第二导电类型，其中该第一阱和该第二阱位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间。/n
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