[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811124144.2 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109524461A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林信南;刘美华;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极分别贯穿所述介质层、且伸入所述半导体基板以与所述半导体基板形成肖特基接触。本发明的半导体器件可以提高栅极控制能力，减少栅极漏电和关态漏电，能够实现高质量的肖特基接触和低的漏极泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 半导体器件 介质层 漏极 源极 肖特基接触 漏电 半导体技术领域 栅极控制能力 间隔设置 泄漏电流 关态 伸入 制作 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极分别贯穿所述介质层、且伸入所述半导体基板以与所半导体基板形成肖特基接触。
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