[发明专利]一种光探测器原型器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种光探测器原型器件的制备方法，本发明在铜薄膜基底上生长石墨烯，通过热氧化在铜基底与石墨烯两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属电极完成器件的制备。本发明具有厚度薄、光响应快、柔性好的优点。

主权项

1.一种光探测器原型器件的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：步骤(1)、通过化学气相沉积法在铜薄膜表面生长单原子层厚度的石墨烯薄膜；步骤(2)、步骤(1)的产物放入180℃的烘箱中，烘箱中的湿度通过加湿器控制在湿度为80％；；放置12小时后取出；产物结构为中间夹有氧化亚铜的三明治结构，Cu/Cu2O/Gr；步骤(3)、在石墨烯表面通过旋涂法涂覆一层聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸薄膜，；聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸水溶液采用市售产品；旋涂转速为3000转/分钟；PEDOT:PSS薄膜厚度为20nm；形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS叠层结构；；其中聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸薄膜即PEDOT:PSS薄膜；步骤(4)、在PEDOT:PSS薄膜表面继续通过旋涂法涂覆一层聚乙烯基咔唑薄膜；其中聚乙烯基咔唑薄膜为将聚乙烯基咔唑溶解于氯仿溶液中，浓度为0.02g/ml；旋涂转速为4000转/分钟；聚乙烯基咔唑薄膜厚度为20nm；形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS/PVK叠层结构；；其中PVK即聚乙烯基咔唑；步骤(5)、在Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS/PVK叠层结构的PVK上表面通过热蒸发法沉积金属金电极。