[发明专利]肖特基势垒二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811124372.X | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109256430A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 林信南;刘美华;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种肖特基势垒二极管及其制作方法，所述肖特基势垒二极管包括：半导体基板；钝化层；介质层，设置在所述钝化层上、且覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部；阳极，包括伸入所述半导体基板内部的第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；以及第一阴极和第二阴极。本发明实施例的肖特基势垒二极管，可以优化器件结构，与CMOS工艺线兼容，减小反向漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极部 接触孔 肖特基势垒二极管 半导体基板 钝化层 伸入 阴极 介质层 半导体器件技术 阳极 反向漏电 优化器件 贯穿 减小 制作 兼容 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：半导体基板；钝化层，设置在所述半导体基板上；介质层，设置在所述钝化层上、且延伸至第一阳极部接触孔和第二阳极部接触孔内以覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，其中，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部；阳极，设置在所述介质层上、且包括第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部分别填充相互间隔设置的所述第一阳极部接触孔、所述第二阳极部接触孔和第三阳极部接触孔、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；以及第一阴极和第二阴极，设置在所述介质层上、且填充第一阴极接触孔和第二阴极接触孔，其中，所述第一阴极和所述第二阴极位于所述阳极的相对两侧，所述第一阴极接触孔和所述第二阴极接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层；其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部在所述介质层上方连接在一起，所述第三阳极部与所述半导体基板形成肖特基接触。
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