[发明专利]一种IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法有效
| 申请号： | 201811124403.1 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109243984B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘昌涛;陈巧霞;刘栋 | 申请（专利权）人： | 西安明科微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/492 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710100 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法，将铝碳化硅基板进行表面处理，然后进行电镀镍，最后对电镀后的碳化硅基板进行激光阻焊，铝碳化硅激光阻焊时间短，速度快，效率高，适合于大批量生产，激光阻焊能够节省能源，不对环境造成污染，成本大幅下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 碳化硅 散热 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
