[发明专利]一种晶圆的减薄方法

摘要

本申请公开了一种晶圆的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括：提供待减薄的晶圆，采用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角；制备涂覆液，并将涂覆液均匀涂覆在晶圆正面以及边缘的倒角上，烘烤硬化形成覆盖层，将晶圆正面与基板固定；对晶圆背面进行第一次研磨，对晶圆背面进行第一次湿法蚀刻；对晶圆背面进行第二次研磨；对晶圆背面进行第二次湿法蚀刻，将晶圆与基板分离，去除晶圆的覆盖层，即得减薄后的晶圆。本发明的晶圆的减薄方法采用特殊保护工艺，能够减少器件晶圆减薄过程中产生的内应力，并且能够防止晶圆减薄过程中产生的颗粒和冷却水的混合物污染晶圆正面，减少破片几率，增加成片率，降低生产成本。

主权项

1.一种晶圆的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括：S1：提供待减薄的晶圆，采用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角；S2：制备涂覆液，并将涂覆液均匀涂覆在晶圆正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与晶圆正面以及四周紧密粘贴，然后在50‑55℃温度下烘烤15min，使晶圆涂覆液硬化形成覆盖层；S3：提供基板，将晶圆正面与基板固定；S4：对晶圆背面进行第一次研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度，将基板固定在晶圆减薄机上，晶圆减薄机上的磨刀对晶圆背面进行减薄，将晶圆背面减薄至预定厚度，再进行光磨3‑5s；S5：对晶圆背面进行第一次湿法蚀刻，将晶圆放入蚀刻液中对晶圆背面进行湿法蚀刻，蚀刻液温度为60‑70℃，湿法蚀刻时间为2分钟；S6：对晶圆背面进行第二次研磨，减薄晶圆体衬底的厚度，将基板固定在晶圆减薄机上，晶圆减薄机上的磨刀对晶圆背面进行减薄，将晶圆背面减薄至预定厚度，再进行光磨3‑5s；S7：对晶圆背面进行第二次湿法蚀刻，将晶圆放入蚀刻液中对晶圆背面进行湿法蚀刻，将晶圆减薄至要求厚度，蚀刻液温度为60‑70℃，湿法蚀刻时间为2分钟；S8：将晶圆与基板分离，去除晶圆的覆盖层，即得减薄后的晶圆。