[发明专利]一种超薄芯片生产方法

摘要

本申请公开了一种超薄芯片生产方法，其特征在于，包括晶圆贴膜、晶圆减薄、划片、封装和测试，先在晶圆图形表面贴覆一层粘结膜片,再采用机械研磨和湿法蚀刻交替对晶圆背面进行减薄，将晶圆减薄至厚度为5μm‑50μm，然后对减薄后的晶圆进行划片，沿晶圆上划片道划片，得到分离的芯片，对芯片进行封装再进行最后的测试，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级，测试合格的芯片包装入库，完成超薄芯片的生产。本发明的超薄芯片生产方法为超薄叠层芯片封装提供保障，满足IC封装产品高密度、高性能和轻薄短小的发展方向，解决现有晶圆加工技术在加工超薄芯片过程中面临的问题。

主权项

1.一种超薄芯片生产方法，其特征在于，包括晶圆贴膜、晶圆减薄、划片、封装和测试，过程如下：（1）晶圆贴膜：在晶圆图形表面贴覆一层粘结膜片；（2）晶圆减薄：采用机械研磨和湿法蚀刻交替对晶圆背面进行减薄，将晶圆减薄至厚度为5μm‑50μm；（3）划片：在晶圆自动划片机上对减薄后的晶圆进行划片，沿晶圆上划片道划片，得到分离的芯片；（4）封装：将待封装芯片的背面贴装在载体的正面形成的粘合层上，在载体表面形成封料层，所述封料层包裹在待封装芯片的四周，然后剥离载体，露出待封装芯片的背面，在待封装芯片的背面通过再布线工艺完成封装；（5）测试：将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性，包括消耗功率、运行速度和耐压度，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级，测试合格的芯片包装入库，完成超薄芯片的生产。