[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811124624.9 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957361B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁朝向第二鳍部，所述衬底上还具有覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁的隔离层，且所述隔离层表面低于第一鳍部顶部表面和第二鳍部顶部表面；在第一鳍部的第一侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在第一鳍部内形成第一掺杂层，所述第一侧墙覆盖第一掺杂层部分侧壁；在第二鳍部内形成第二掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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