[发明专利]一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法有效
| 申请号： | 201811124910.5 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109326575B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 任玉龙;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，包括：在晶圆上形成PVD种子层；在PVD种子层表面形成RDL层光刻胶；对形成的RDL层光刻胶进行图形化曝光，形成RDL曝光区域；在曝光后的RDL层光刻胶上形成Bump层光刻胶；进行Bump层光刻胶的图像化曝光，形成Bump曝光区域；显影形成Bump和RDL电镀窗口；电镀形成RDL和Bump结构；以及去除光刻胶及外漏的PVD种子层。该方法将两次光刻工艺结合，通过一次电镀工艺即可以完成重布线和凸点两制程，减少了工艺步骤，缩短了工艺时间，可以节约设备、材料成本，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 布线 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，包括：在晶圆上形成PVD种子层；在PVD种子层表面形成RDL层光刻胶；对形成的RDL层光刻胶进行图形化曝光，形成RDL曝光区域；在曝光后的RDL层光刻胶上形成Bump层光刻胶；进行Bump层光刻胶的图像化曝光，形成Bump曝光区域；显影形成Bump和RDL电镀窗口；电镀形成RDL和Bump结构；以及去除光刻胶及外漏的PVD种子层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811124910.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：衬底结构、包含衬底结构的半导体封装和其制造方法
- 下一篇：互连结构
