[发明专利]功率器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811125177.9 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN109244120A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/423
代理公司: 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 代理人: 马世中
地址: 518000 广东省深圳市罗湖区桂*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种功率器件,其包括有源区和位于有源区外侧的终端区,包括:第一导电类型的衬底;形成在衬底的上表面的第一导电类型的外延层;位于终端区自所述外延层的上表面向下延伸至所述外延层内的第二导电类型的结终端扩展结;位于终端区形成在外延层的上表面的结终端厚氧层;位于终端区形成在外延层的上表面且与结终端厚氧层相连的阶梯型氧化硅层,位于第一上表面、第二上表面和结终端厚氧层的上表面的栅极走线;在栅极走线和氧化硅层的外侧间隔设置的第一介质层;间隔设置的第一介质层之间的栅极金属层,此功率器件耐压性高可靠性好。同时本发明提供此种功率器件的制备方法,工艺简单,成本较低。
搜索关键词: 上表面 外延层 功率器件 结终端 终端区 厚氧层 第一导电类型 间隔设置 氧化硅层 栅极走线 介质层 衬底 源区 制备 栅极金属层 导电类型 高可靠性 向下延伸 阶梯型 耐压性
【主权项】:
1.一种功率器件,其包括有源区和位于所述有源区外侧的终端区,其特征在于,其包括:第一导电类型的衬底;形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层;位于所述终端区自所述外延层的上表面向下延伸至所述外延层内的第二导电类型的结终端扩展结;位于所述终端区形成在所述外延层的上表面的结终端厚氧层;位于所述终端区形成在所述外延层的上表面且与所述结终端厚氧层相连的阶梯型的氧化硅层,所述氧化硅层包括第一上表面、与第一上表面平行且低于所述第一上表面的第二上表面、连接所述第一上表面及所述第二上表面的第一侧面、与所述第一侧面平行且与所述第二上表面连接的第二侧面,所述第一侧面与所述第二侧面位于所述第二上表面的上下两侧,所述第一侧面与结终端扩展结的靠近所述有源区的侧面位于同一平面,所述第一上表面与所述结终端厚氧层的上表面位于同一平面;位于所述第一上表面、第二上表面和所述结终端厚氧层的上表面的栅极走线;在所述栅极走线和所述氧化硅层的外侧间隔设置的第一介质层;间隔设置的第一介质层之间的栅极金属层。
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