[发明专利]电子装置有效
| 申请号： | 201811125193.8 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110400820B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 高克毅;陈良禄;丁景隆 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09F9/33;G09G3/32;G09G3/3225 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子装置，包括至少第一发光二极管、第二发光二极管及控制电路。所述第一发光二极管及所述第二发光二极管以串联方式耦接。所述控制电路耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管，用以在第一模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管的其中之一，及在第二模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，其特征在于，包括：第一群组，包括：第一发光二极管及第二发光二极管，其中所述第一发光二极管及所述第二发光二极管以串联方式耦接；及第一控制电路，耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管之间，用以在第一模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管的其中之一，及在第二模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管；及第一信号线，耦接于所述第一群组，且该第一模式下被致能的第一发光二级管数量小于该第二模式下被致能的第一发光二级管数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
