[发明专利]一种原位自生二硼化钛强化CuW合金的方法有效
| 申请号： | 201811126336.7 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109207764B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨晓红;赵伊鹏;邹军涛;梁淑华;肖鹏 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C32/00;C22C27/04;H01H1/021 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 胡燕恒 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种原位自生二硼化钛强化CuW合金的方法，将W粉、B粉以及诱导铜粉混合均匀，并压制成型，得到钨压坯；将钨压坯放入气氛烧结炉中烧结，获得钨骨架；将CuTi合金放在钨骨架上方后放入铺有石墨纸的石墨坩埚内，在烧结炉中进行熔渗，即得到原位自生二硼化钛强化CuW合金。本发明一种原位生成二硼化钛强化CuW合金的方法，通过采用烧结‑熔渗法在CuW材料中原位生成陶瓷相TiB |
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| 搜索关键词： | 一种 原位 自生 二硼化钛 强化 cuw 合金 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原位自生二硼化钛强化CuW合金的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，混粉、压坯：将W粉、B粉以及诱导铜粉混合均匀，并压制成型，得到钨压坯；步骤2，烧结：将步骤1得到的钨压坯放入气氛烧结炉中烧结，获得钨骨架；步骤3，熔渗：将干净的CuTi合金放在钨骨架上方后放入铺有石墨纸的石墨坩埚内，在烧结炉中进行熔渗，即得到原位自生二硼化钛强化CuW合金。
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