[发明专利]圆片级封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201811126339.0 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109399551A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 柯武生 | 申请（专利权）人： | 广西桂芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530007 广西壮族自治区南宁市*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种圆片级封装结构，包括硅衬底和高阻硅盖板；硅衬底上设有硅可动腔体、金属‑硅键合密封环和吸气剂，高阻硅盖板上开有两个通孔，通孔内有Pb‑Sn凸点与硅可动腔体键合。通过采用盖板上通孔实现电信号导出，形成垂直互连，这种电互连较传统的互连具有电连接距离短、密度高、寄生和串扰等效应小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 圆片级封装结构 硅衬底 硅盖板 高阻 可动 腔体 通孔 垂直互连 传统的 电互连 电连接 硅键合 密封环 上通孔 吸气剂 盖板 互连 寄生 串扰 导出 键合 凸点 封装 金属 申请 | ||
【主权项】：
1.一种圆片级封装结构，其特征在于：包括硅衬底（1）和高阻硅盖板（4）；硅衬底（1）上设有硅可动腔体（2）、金属‑硅键合密封环（3）和吸气剂（6），高阻硅盖板（4）上开有两个通孔，通孔内有Pb‑Sn凸点（5）与硅可动腔体（2）键合。
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