[发明专利]通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法在审
| 申请号： | 201811126778.1 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109444710A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张松;梁小静;刘慎思;杨林;陶智华;郑飞 | 申请（专利权）人： | 上海神舟新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 许丽 |
| 地址： | 201112 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法包括：采用金属辅助腐蚀法在硅片表面制备纳米绒面结构；采用选择性腐蚀法对具备纳米绒面结构的硅片进行处理，在硅片表面形成呈现晶向特征的腐蚀形貌；运用扫描电子显微镜对呈现晶向特征的腐蚀形貌进行表征；依据扫描电子显微镜采样，对比<100>晶向腐蚀形貌结构特征，判断晶粒晶向。本发明旨在通过融合光伏产业化黑硅电池技术和SEM形貌表征技术，实现快速，准确的判断多晶硅片晶粒晶向的表征。根据上述表征结果，可以为上游铸造工艺及后续电池制绒工艺提供借鉴，从而更好的优化多晶硅材料铸造及电池制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 晶向 选择性腐蚀 腐蚀 扫描电子显微镜 形貌 多晶硅晶粒 晶粒 硅片表面 绒面结构 电池制备工艺 多晶硅材料 测试 表征结果 电池技术 多晶硅片 金属辅助 形貌表征 形貌结构 制绒工艺 铸造工艺 产业化 采样 硅片 光伏 黑硅 制备 电池 铸造 融合 上游 优化 | ||
【主权项】：
1.通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，包括：采用金属辅助腐蚀法在硅片表面制备纳米绒面结构；采用选择性腐蚀法对具备纳米绒面结构的硅片进行处理，在硅片表面形成呈现晶向特征的腐蚀形貌；运用扫描电子显微镜对呈现晶向特征的腐蚀形貌进行表征；依据扫描电子显微镜采样，对比<100>晶向腐蚀形貌结构特征，判断晶粒晶向。
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