[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制作方法在审
| 申请号： | 201811127172.X | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957989A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;于伦;林文魁;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法。所述制作方法包括：在SOI衬底的第一表面上制作下电极；在所述SOI衬底的第一表面和下电极上形成压电层；在所述压电层上形成顶电极；于SOI衬底的第二表面上加工形成空气腔，所述第二表面和第一表面相背对设置。本发明提供的制作方法，简化了FBAR的制备工艺，通过此方法生长的AlN薄膜晶体质量高，有助于提高器件性能，同时通过硅注氧隔离的位置控制顶层硅的厚度来调整谐振器的频率；以及SOI材料具有的功耗低，集成密度高，抗辐射特性等特点，降低了器件制备工艺复杂度，对于将来5G通信系统射频前端。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811127172.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种线性扫频相干激光雷达系统
- 下一篇：III族氮化物光电子器件的制作方法
