[发明专利]III族氮化物光电子器件的制作方法在审
| 申请号： | 201811127175.3 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957204A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张宝顺;张晓东;于国浩;徐峰;时文华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物光电子器件的制作方法。所述制作方法包括在衬底上生长形成光电子器件结构的步骤，光电子器件结构包括N型层、有源区发光层及P型层；以及还包括：在所述光电子器件结构上设置掩模，并利用所述掩模至少对所述N型层、有源区发光层及P型层中的任一者或多种进行选择性氧化，从而调控所述光电子器件结构的出光区域的面积和/或形状。本发明实施例提供的III族氮化物光电子器件的制作方法，采用氧化工艺控制器件出光面积，氧化工艺具有宽度、深度可控等特点，低横向效应避免了对芯片侧壁造成的刻蚀损伤，并且可以把器件有源区出口面积控在微米量级，还可以控制出光孔的形状，对有源区无损伤，且能够提高芯片的峰值发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 光电子 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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