[发明专利]校正半导体光刻的光掩模的临界尺寸均匀性的方法有效
| 申请号： | 201811129008.2 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109634054B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | T.塞勒;J.韦尔特;K.戈哈德;V.德米蒂耶夫;U.布特格雷特;T.谢鲁布尔;Y.尤瓦尔佩列茨 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司;卡尔蔡司SMS有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及校正半导体光刻的光掩模(2)的临界尺寸均匀性(CDU)的方法，包括以下步骤：‑确定转换系数作为校准参数，‑通过写入像素场(5)校正所述光掩模(2)，‑验证因此校正的光掩模(2)，其特征在于，转换系数用于验证校正的光掩模(2)，所述转换系数从测量的像素场(5)的散射函数获得。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 半导体 光刻 光掩模 临界 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.校正半导体光刻的光掩模(2)的临界尺寸均匀性(CDU)的方法，包括以下步骤：‑通过扫描仪等同的CDU测量来确定将要校正的CDU，‑确定转换系数作为校准参数，‑通过写入像素场(5)校正所述光掩模(2)，‑验证因此校正的光掩模(2)，其特征在于，转换系数用于验证所述校正的光掩模(2)，所述转换系数从预先测量的像素场(5)的散射函数获得。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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