[发明专利]半导体器件及定位标记的制备方法在审
| 申请号： | 201811129229.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109449139A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 田红林;田亮;钮应喜;焦倩倩;杨霏 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 成珊 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及定位标记的制备方法，其中，半导体器件包括半导体层；定位标记区域，形成在所述半导体层内；其中，所述定位标记区域是通过向所述半导体层内注入掺杂离子得到的；所述定位标记区域内的离子掺杂浓度为1×1015～1×1019cm‑3。由于定位标记区域通过离子注入的方式形成在半导体层内，避免了在半导体层表面形成金属层所导致的非定位标记区域沉淀有金属离子；后续在利用具有定位标记区域的半导体层进行其他工艺的制备时，由于定位标记区域与非定位标记区域边界处的散射率和反射率差别较大，能够达到较好的对准效果，提高了该定位标记的定位准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 定位标记区域 半导体层 半导体器件 定位标记 制备 半导体层表面 定位准确性 反射率差别 掺杂离子 金属离子 离子掺杂 边界处 金属层 散射 与非 沉淀 离子 对准 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；定位标记区域，形成在所述半导体层内；其中，所述定位标记区域是通过向所述半导体层内注入掺杂离子得到的；所述定位标记区域内的离子掺杂浓度为1×1015～1×1019cm‑3。
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