[发明专利]屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201811129396.4 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957357B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 涂高维;蔡柏安;翁焕忠 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙) 11328 | 代理人： | 钱莺勤;汪恺 |
| 地址： | 中国台湾新北市五*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管的制造方法，包含下列步骤：形成具有沟渠的半导体衬底；以氧化方式形成牺牲氧化层于沟渠内，牺牲氧化层至少覆盖沟渠的侧壁；形成源极多晶硅区于沟渠内；以氧化方式形成绝缘氧化层在源极多晶硅区上方，使得源极多晶硅区完全为牺牲氧化层及绝缘氧化层所包覆；以多晶硅沉积填入沟渠并进行回蚀刻以控制源极多晶硅区上方的绝缘氧化层的厚度；以氧化方式形成栅极氧化层于沟渠内，栅极氧化层至少覆盖沟渠的侧壁；形成栅极多晶硅区于沟渠内；以及以离子布植形成围绕沟渠的基体层及重掺杂区。本发明不需使用特殊机台、较简易且可有效控制氧化层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 栅极 式金氧 半场 效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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