[发明专利]带有多个加热区的基板支撑件有效
申请号: | 201811129813.5 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN109616428B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 松下智治;贾勒帕里·拉维;蔡振雄;阿拉维德·卡马斯;枭雄·袁;曼朱纳塔·科普帕 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B3/26 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中,基板支撑件可包括具有支撑表面的主体;及第一加热器,第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区,其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化,以界定多个加热区之间的预定加热比率。 | ||
搜索关键词: | 带有 加热 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种基板支撑件,包括:主体,所述主体具有支撑表面;第一加热器,所述第一加热器设置于所述主体内且具有第一加热线圈与多个加热区,其中所述第一加热线圈的绕组间距在所述多个加热区的每一个之间变化,以界定所述多个加热区之间的预定加热比率;多个真空通道,所述多个真空通道设置于所述主体内且包括第一圆形真空通道、第二圆形真空通道和第三圆形真空通道,其中所述第一、第二与第三圆形真空通道是同心的;多个第一径向通道,所述多个第一径向通道在所述第一圆形真空通道与所述第二圆形真空通道之间延伸,其中所述多个第一径向通道在多个第一相交点处与所述第二圆形真空通道相交;多个第二径向通道,所述多个第二径向通道在所述第二圆形真空通道与所述第三圆形真空通道之间延伸,其中所述多个第二径向通道在不同于所述多个第一相交点的多个第二相交点处与所述第二圆形真空通道相交;及多个开口,所述多个开口设置于所述第二圆形真空通道中而将真空夹持供应流体耦接至所述多个真空通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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