[发明专利]制造3D存储器件的方法有效
| 申请号： | 201811130063.3 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109390345B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 骆中伟;何佳;韩玉辉;刘藩东;华文宇;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种制造3D存储器件的方法。制造3D存储器件的方法包括：在衬底上方形成原绝缘叠层结构，原绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述原绝缘叠层结构的多个沟道柱；在所述原绝缘叠层结构中形成隔离层，隔离层贯穿所述原绝缘叠层结构且呈环状，使得被所述隔离层环绕的所述原绝缘叠层结构构成绝缘叠层结构；采用金属层置换所述隔离层外侧的原绝缘叠层结构中的牺牲层以形成栅叠层结构；以及形成贯穿所述绝缘叠层结构的导电通道，其中，所述隔离层的外侧壁的至少一部分为平滑曲面。该3D存储器件采用平滑曲面的隔离层，从而避免隔离层中形成孔洞导致栅极导体与导电通道之间的短路，可以提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造3D存储器件的方法，包括：在衬底上方形成原绝缘叠层结构，所述原绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述原绝缘叠层结构的多个沟道柱；在所述原绝缘叠层结构中形成隔离层，所述隔离层贯穿所述原绝缘叠层结构且呈环状，使得被所述隔离层环绕的所述原绝缘叠层结构构成绝缘叠层结构；采用栅极导体置换所述隔离层外侧的原绝缘叠层结构中的牺牲层以形成栅叠层结构；以及形成贯穿所述绝缘叠层结构的导电通道，其中，所述隔离层的外侧壁的至少一部分为平滑曲面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811130063.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
