[发明专利]一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法有效
| 申请号： | 201811130588.7 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109067230B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李辉;钟懿;黄樟坚;廖兴林;刘晓宇;姚然;郑媚媚;王坤;何蓓;全瑞坤 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M1/38 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法，属于逆变器PWM控制领域，该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域，进行死区消除，具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压；S2：判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域；S3：在桥臂电流非过零区域消除死区，并在桥臂电流过零区域恢复死区。本发明方法通过在线自适应算法计算出过零区域宽度，实现了整个调制周期内死区效应的有效消除，且算法简单，受器件非理想开关特性和负载参数影响较小，无需外加硬件检测电路，有效地节约了开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 逆变器 在线 自适应 死区 消除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法，其特征在于：该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域，进行死区消除，具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压；S2：判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域；S3：在桥臂电流非过零区域消除死区，并在桥臂电流过零区域恢复死区。
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