[发明专利]一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811130910.6 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109300994B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏;蒋立柱 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法，其特征在于，包括采用薄片负阻工艺与辐照改性工艺。TVS器件在防护雷击浪涌时，较低的残压有利于更好的保护后级电路。高的浪涌能力有利于适用更高浪涌等级要求。且负阻稳定点不能低于工作电压(针对于电源口，如低于工作电压会造成回路电压倒灌入TVS器件)。本发明使用P型薄片负阻工艺和辐照改性工艺相结合，在降低残压、提高浪涌能力的同时实现负阻稳定点电压可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 伪负阻型低残压 tvs 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种伪负阻型低残压TVS器件的制备方法，其特征在于，包括采用薄片负阻工艺与辐照改性工艺。
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