[发明专利]低压扩散炉低压扩散工艺

摘要

本发明公开了一种低压扩散炉低压扩散工艺，包括以下步骤。步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度。步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空。步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮。步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空。本发明公开的低压扩散炉低压扩散工艺，其有益效果在于，通过巧妙设置恒压、扩散、升降温等工段，提高待处理硅片的加工质量和加工效率，同时减少废片比例。

主权项

1.一种低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；步骤S6：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；步骤S7：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第二预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；步骤S8：维持第一至第五温度区域在第二预定温度的同时持续通入大氮；步骤S9：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入氧气和大氮；步骤S10：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第四预定温度的同时持续通入大氮；步骤S11：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入大氮，同时将待处理硅片匀速推出低压扩散炉。