[发明专利]贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201811131924.X 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN109616458B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 仓持悟;小岩进雄;吉冈英范 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/13;H01L23/15;H01L23/48;H01L23/498;H10B80/00;H01L21/60;H05K1/11;H05K3/28;H05K3/44
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种用于解决由滞留于贯通孔内的气体引起的问题,且可防止贯通孔内的填充物脱落的贯通电极基板。贯通电极基板具有:基板,具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔;以及填充物,配置于贯通孔内,第二开口大于第一开口,在第一开口与第二开口之间具有俯视时面积最小的最小开口部,上述贯通电极基板具有气体释放部,上述气体释放部配置成与在第一面及第二面的任一个面露出的填充物相接触。
搜索关键词: 贯通 电极 利用 半导体 装置
【主权项】:
1.一种贯通电极基板,具有:基板,具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔;以及导电层,配置于上述贯通孔的内部,上述第二开口大于上述第一开口,在上述第一开口与上述第二开口之间具有在俯视时面积最小的最小开口部,在上述第二开口与上述最小开口部之间,剖视时上述贯通孔的侧壁的至少一部分包括具有变曲点的曲线。
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