[发明专利]贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置有效
申请号: | 201811131924.X | 申请日: | 2014-11-19 |
公开(公告)号: | CN109616458B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 仓持悟;小岩进雄;吉冈英范 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/13;H01L23/15;H01L23/48;H01L23/498;H10B80/00;H01L21/60;H05K1/11;H05K3/28;H05K3/44 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于解决由滞留于贯通孔内的气体引起的问题,且可防止贯通孔内的填充物脱落的贯通电极基板。贯通电极基板具有:基板,具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔;以及填充物,配置于贯通孔内,第二开口大于第一开口,在第一开口与第二开口之间具有俯视时面积最小的最小开口部,上述贯通电极基板具有气体释放部,上述气体释放部配置成与在第一面及第二面的任一个面露出的填充物相接触。 | ||
搜索关键词: | 贯通 电极 利用 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种贯通电极基板,具有:基板,具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔;以及导电层,配置于上述贯通孔的内部,上述第二开口大于上述第一开口,在上述第一开口与上述第二开口之间具有在俯视时面积最小的最小开口部,在上述第二开口与上述最小开口部之间,剖视时上述贯通孔的侧壁的至少一部分包括具有变曲点的曲线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社,未经大日本印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811131924.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:连接体
- 下一篇:贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置