[发明专利]一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。

主权项

1.一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（1）清洗单晶硅基片；（2）以高纯乙烯、硅烷混合气和高纯氮气为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积方法在单晶硅基片表面生长氮硅双修饰石墨烯量子点的固态膜，即可得到氮硅双修饰石墨烯量子点。